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              圖片信息
              

              STGP8M120DF3圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：STGP8M120DF3
              6. 

            6. 原始制造廠商：ST，意法半導體
              7. 

            7. 技術標準參數：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V
              8. 

            8. 產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
              9. 

            9. 點擊此處下載STGP8M120DF3的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. 制造商產品型號：STGP8M120DF3
            12. 制造商：STMicroelectronics
            13. 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V
            14. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
            15. 產品系列：管件
            16. 零件狀態：-
            17. IGBT類型：有源
            18. 電壓-集射極擊穿（最大值）：溝槽型場截止
            19. 電流-集電極(Ic)（最大值）：1200V
            20. 電流-集電極脈沖(Icm)：16A
            21. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：32A
            22. 功率-最大值：2.3V @ 15V，8A
            23. 開關能量：-
            24. 輸入類型：390μJ（開），370μJ（關）
            25. 柵極電荷：標準
            26. 25°C時Td（開/關）值：32nC
            27. 測試條件：20ns/126ns
            28. 反向恢復時間(trr)：600V，8A，33 歐姆，15V
            29. 工作溫度：103ns
            30. 安裝類型：-55°C ~ 175°C（TJ）
            31. 封裝：通孔
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