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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：STGP8M120DF3

原始制造廠商：ST，意法半導體

技術標準參數：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：STGP8M120DF3

制造商：STMicroelectronics

描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：管件

零件狀態：-

IGBT類型：有源

電壓-集射極擊穿（最大值）：溝槽型場截止

電流-集電極(Ic)（最大值）：1200V

電流-集電極脈沖(Icm)：16A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：32A

功率-最大值：2.3V @ 15V，8A

開關能量：-

輸入類型：390μJ（開），370μJ（關）

柵極電荷：標準

25°C時Td（開/關）值：32nC

測試條件：20ns/126ns

反向恢復時間(trr)：600V，8A，33 歐姆，15V

工作溫度：103ns

安裝類型：-55°C ~ 175°C（TJ）

封裝：通孔

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