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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：STGP3NB60KD

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 10A 50W TO220

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGP3NB60KD

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 10A 50W TO220

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：PowerMESH?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：10A

電流-集電極脈沖(Icm)：24A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A

功率-最大值：50W

開關(guān)能量：30μJ（開），58μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：14nC

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：14ns/33ns

測(cè)試條件：480V，3A，10 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：45ns

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-220-3

STGP3NB60KD均從ST代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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