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              圖片信息
              

              STGP30H65F圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：STGP30H65F
              6. 

            6. 原始制造廠商：ST，意法半導體
              7. 

            7. 技術標準參數：IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
              8. 

            8. 產品應用分類：單路IGBT
              9. 

            9. 點擊此處下載STGP30H65F的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. ST意法半導體公司完整型號：STGP30H65F
            12. 制造廠家名稱：STMicroelectronics
            13. 描述：IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
            14. 系列：-
            15. IGBT 類型：溝道和場截止
            16. 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650V
            17. 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60A
            18. Current - Collector Pulsed (Icm)：120A
            19. 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.4V @ 15V，30A
            20. 功率 - 最大值：260W
            21. Switching Energy：350μJ （開）， 400μJ （關）
            22. 輸入類型：標準
            23. Gate Charge：105nC
            24. 25°C 時 Td（開/關）值：50ns/160ns
            25. Test Condition：400V, 30A, 10 歐姆, 15V
            26. 反向恢復時間 (trr)：-
            27. 封裝/外殼：TO-220-3
            28. 安裝類型：通孔
            29. 供應商器件封裝：TO-220
            30. STGP30H65F均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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