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              圖片信息
              

              STGD7NB120S-1圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：STGD7NB120S-1
              6. 

            6. 原始制造廠商：ST，意法半導體
              7. 

            7. 技術標準參數：IGBT 1200V 10A 55W IPAK
              8. 

            8. 產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
              9. 

            9. 點擊此處下載STGD7NB120S-1的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. 制造商產品型號：STGD7NB120S-1
            12. 制造商：STMicroelectronics
            13. 描述：IGBT 1200V 10A 55W IPAK
            14. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
            15. 產品系列：PowerMESH?
            16. 零件狀態：停產
            17. IGBT類型：-
            18. 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
            19. 電流-集電極(Ic)（最大值）：10A
            20. 電流-集電極脈沖(Icm)：20A
            21. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，7A
            22. 功率-最大值：55W
            23. 開關能量：15mJ（關）
            24. 輸入類型：標準
            25. 柵極電荷：29nC
            26. 25°C時Td（開/關）值：570ns/-
            27. 測試條件：960V，7A，1 千歐，15V
            28. 反向恢復時間(trr)：-
            29. 工作溫度：150°C（TJ）
            30. 安裝類型：通孔
            31. 封裝：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
            32. STGD7NB120S-1均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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