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      圖片信息
      

      STGD5H60DF圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：STGD5H60DF
      2. 

    2. 原始制造廠商：ST，意法半導體
      3. 

    3. 技術標準參數(shù)：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
      4. 

    4. 產(chǎn)品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
      5. 

    5. 點擊此處下載STGD5H60DF的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

    6. 現(xiàn)貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數(shù)詳解：
      

    7. 制造商產(chǎn)品型號：STGD5H60DF
    8. 制造商：STMicroelectronics
    9. 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
    10. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    11. 產(chǎn)品系列：-
    12. 零件狀態(tài)：有源
    13. IGBT類型：溝槽型場截止
    14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
    15. 電流-集電極(Ic)（最大值）：10A
    16. 電流-集電極脈沖(Icm)：20A
    17. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，5A
    18. 功率-最大值：83W
    19. 開關能量：56μJ（開），78.5μJ（關）
    20. 輸入類型：標準
    21. 柵極電荷：43nC
    22. 25°C時Td（開/關）值：30ns/140ns
    23. 測試條件：400V，5A，47 歐姆，15V
    24. 反向恢復時間(trr)：134.5ns
    25. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
    26. 安裝類型：表面貼裝型
    27. 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
    28. STGD5H60DF均從ST代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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