深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供STGD3NB60HDT4（品牌: ST）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGD3NB60HDT4制造商：STMicroelectronics描述：IGBT 600V 10A 50W DPAK系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列：PowerMESH?零件狀態(tài)：停產(chǎn)IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：10A電流-集電極脈沖(Icm)：24A不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A功率-最大值：50W開(kāi)關(guān)能量：33μJ（關(guān)）輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)柵極電荷：21nC25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：5ns/53ns測(cè)試條件：480V，3A，10 歐姆，15V反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：95ns工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63STGD3NB60HDT4均從ST代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
