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              圖片信息
              

              STGB30V60F圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：STGB30V60F
              6. 

            6. 原始制造廠商：ST，意法半導體
              7. 

            7. 技術標準參數：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S
              8. 

            8. 產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
              9. 

            9. 點擊此處下載STGB30V60F的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. 制造商產品型號：STGB30V60F
            12. 制造商：STMicroelectronics
            13. 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S
            14. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
            15. 產品系列：-
            16. 零件狀態：有源
            17. IGBT類型：溝槽型場截止
            18. 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
            19. 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
            20. 電流-集電極脈沖(Icm)：120A
            21. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，30A
            22. 功率-最大值：260W
            23. 開關能量：383μJ（開），233μJ（關）
            24. 輸入類型：標準
            25. 柵極電荷：163nC
            26. 25°C時Td（開/關）值：45ns/189ns
            27. 測試條件：400V，30A，10 歐姆，15V
            28. 反向恢復時間(trr)：-
            29. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
            30. 安裝類型：表面貼裝型
            31. 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
            32. STGB30V60F均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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