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      圖片信息
      

      STGB30H65DFB2圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：STGB30H65DFB2
      2. 

    2. 原始制造廠商：ST，意法半導體
      3. 

    3. 技術標準參數：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
      5. 

    5. 點擊此處下載STGB30H65DFB2的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：STGB30H65DFB2
    8. 制造商：STMicroelectronics
    9. 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
    10. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    11. 產品系列：HB2
    12. 零件狀態：有源
    13. IGBT類型：溝槽型場截止
    14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
    15. 電流-集電極(Ic)（最大值）：50A
    16. 電流-集電極脈沖(Icm)：90A
    17. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
    18. 功率-最大值：167W
    19. 開關能量：270μJ（開），310μJ（關）
    20. 輸入類型：標準
    21. 柵極電荷：90nC
    22. 25°C時Td（開/關）值：18.4ns/71ns
    23. 測試條件：400V，30A，6.8 歐姆，15V
    24. 反向恢復時間(trr)：115ns
    25. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
    26. 安裝類型：表面貼裝型
    27. 封裝：TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA
    28. STGB30H65DFB2均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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