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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：STGB20NB37LZ

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 425V 40A 200W D2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGB20NB37LZ

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 425V 40A 200W D2PAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：PowerMESH?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：425V

電流-集電極(Ic)（最大值）：40A

電流-集電極脈沖(Icm)：80A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2V @ 4.5V，20A

功率-最大值：200W

開(kāi)關(guān)能量：11.8mJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：51nC

25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：2.3μs/2μs

測(cè)試條件：250V，20A，1 千歐，4.5V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

STGB20NB37LZ均從ST代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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