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              圖片信息
              

              STG3P2M10N60B圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：STG3P2M10N60B
              6. 

            6. 原始制造廠商：ST，意法半導體
              7. 

            7. 技術標準參數：IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
              8. 

            8. 產品應用分類：晶體管 - IGBT - 模塊
              9. 

            9. 點擊此處下載STG3P2M10N60B的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. 制造商產品型號：STG3P2M10N60B
            12. 制造商：STMicroelectronics
            13. 描述：IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
            14. 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
            15. 零件狀態：停產
            16. IGBT類型：-
            17. 配置：三相反相器
            18. 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
            19. 電流-集電極(Ic)（最大值）：19A
            20. 功率-最大值：56W
            21. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，7A
            22. 電流-集電極截止（最大值）：10μA
            23. 不同?Vce時輸入電容(Cies)：0.72nF @ 25V
            24. 輸入：單相橋式整流器
            25. NTC熱敏電阻：無
            26. 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
            27. 安裝類型：底座安裝
            28. 封裝：SEMITOP?2
            29. STG3P2M10N60B均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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