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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：STG3P2M10N60B

原始制造廠商：ST，意法半導體

技術標準參數(shù)：IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - IGBT - 模塊

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：STG3P2M10N60B

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2

系列：晶體管 - IGBT - 模塊

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

配置：三相反相器

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：19A

功率-最大值：56W

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，7A

電流-集電極截止（最大值）：10μA

不同?Vce時輸入電容(Cies)：0.72nF @ 25V

輸入：單相橋式整流器

NTC熱敏電阻：無

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝：SEMITOP?2

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