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深圳市南皇電子有限公司長期提供RD3G03BATTL1（品牌: ROHM）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

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ROHM產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無最低起訂量

RD3G03BATTL1 - 南皇電子長期提供競爭力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，ROHM代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：RD3G03BATTL1

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：RD3G03BATTL1

制造商：Rohm Semiconductor

描述：PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：35A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：19.1 毫歐 @ 35A, 10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：38nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2100pF @ 20V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：56W (Ta)

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：TO-252

RD3G03BATTL1均從ROHM代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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