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              深圳市南皇電子有限公司長期提供RD3G03BATTL1（品牌: ROHM）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
              
  
              快速詢價熱線
              
  
  
              

              

              

              深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
              

              

              

              

              

              

              

              

              

              

              

              


              ROHM產(chǎn)品快速報價、當(dāng)日發(fā)貨、無最低起訂量
              

              RD3G03BATTL1 - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，ROHM代理穩(wěn)定貨源。
              

              

              

              

              圖片信息
              

              RD3G03BATTL1圖片
              

              

              

              

              基本技術(shù)信息：
              

            5. 電子器件型號：RD3G03BATTL1
              6. 

            6. 原始制造廠商：ROHM，羅姆
              7. 

            7. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
              8. 

            8. 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
              9. 

            9. 點擊此處下載RD3G03BATTL1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術(shù)參數(shù)詳解：
              

            11. 制造商產(chǎn)品型號：RD3G03BATTL1
            12. 制造商：Rohm Semiconductor
            13. 描述：PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
            14. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
            15. 產(chǎn)品系列：-
            16. 零件狀態(tài)：有源
            17. FET類型：P 通道
            18. 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
            19. 漏源電壓（Vdss）：40V
            20. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：35A（Ta）
            21. 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
            22. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：19.1 毫歐 @ 35A, 10V
            23. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
            24. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：38nC @ 10V
            25. Vgs（最大值）：±20V
            26. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2100pF @ 20V
            27. FET功能：-
            28. 功率耗散（最大值）：56W (Ta)
            29. 工作溫度：150°C（TJ）
            30. 安裝類型：表面貼裝型
            31. 器件封裝：TO-252
            32. RD3G03BATTL1均從ROHM代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
              33. 

              時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
              

              

              


              

              

              

              

              ROHM產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
              

              

              買到真正的RD3G03BATTL1原裝貨 - 來自全球授權(quán)的ROHM代理商、原廠貨源 - 深圳市南皇電子有限公司
              

              
  
              深圳市南皇電子有限公司 - RD3G03BATTL1 - ROHM公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商
              
  
              深圳市南皇電子有限公司致力成為中國領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購增值配套,快速響應(yīng)您的報價請求
              
  
              除ROHM外，我司還在以下品牌具有優(yōu)勢：Wurth | WeEn | U-Blox | Trinamic | Traco Power | 
              

              

              

              

              



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