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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供HP8S36TB（品牌: ROHM）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

HP8S36TB - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，ROHM代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：HP8S36TB

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：30V NCH NCH MIDDLE POWER MOSFET

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：HP8S36TB

制造商：Rohm Semiconductor

描述：30V NCH NCH MIDDLE POWER MOSFET

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）

零件狀態(tài)：-

FET類型：有源

FET功能：2 個(gè) N 通道（半橋）

漏源電壓（Vdss）：-

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：30V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：27A，80A

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.4 毫歐 @ 32A，10V

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：47nC @ 4.5V

功率-最大值：6100pF @ 15V

工作溫度：29W

安裝類型：-55°C ~ 150°C（TJ）

封裝：表面貼裝型

HP8S36TB均從ROHM代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

ROHM

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