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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：SGL60N90DG3YDTU

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 900V 60A 180W TO264

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SGL60N90DG3YDTU

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 900V 60A 180W TO264

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：溝道

電壓-集射極擊穿（最大值）：900V

電流-集電極(Ic)（最大值）：60A

電流-集電極脈沖(Icm)：120A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，60A

功率-最大值：180W

開關(guān)能量：-

輸入類型：標準

柵極電荷：260nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：-

測試條件：-

反向恢復時間(trr)：1.5μs

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-264-3，TO-264AA

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