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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：NVMS10P02R2G

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：NVMS10P02R2G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：10A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：-

不同Id時Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作溫度：-

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-SOIC

NVMS10P02R2G均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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