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      圖片信息
      

      NVMFD6H846NLT1G圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：NVMFD6H846NLT1G
      2. 

    2. 原始制造廠商：ON，ON安森美半導體
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
      5. 

    5. 點擊此處下載NVMFD6H846NLT1G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：NVMFD6H846NLT1G
    8. 制造商：ON Semiconductor
    9. 描述：MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL
    10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
    11. 產品系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
    12. 零件狀態：Automotive, AEC-Q101
    13. FET類型：有源
    14. FET功能：2 N-通道（雙）
    15. 漏源電壓（Vdss）：標準
    16. 25°C時電流-連續漏極(Id)：80V
    17. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：9，4A（Ta），31A（Tc）
    18. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：15 毫歐 @ 5A，10V
    19. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：2V @ 21μA
    20. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：17nC @ 10V
    21. 功率-最大值：900pF @ 40V
    22. 工作溫度：3，2W（Ta），34W（Tc）
    23. 安裝類型：-55°C ~ 175°C（TJ）
    24. 封裝：表面貼裝型
    25. NVMFD6H846NLT1G均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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