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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：NTR2101PT1G

技術標準參數：MOSFET P-CH 8V SOT23-3

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：NTR2101PT1G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 8V SOT23-3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態：有源

FET類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：8V

25°C時電流-連續漏極(Id)：3.7A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：52 毫歐 @ 3.5A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1173pF @ 4V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：960mW（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：SOT-23-3（TO-236）

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