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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：NTD4960N-1G

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：NTD4960N-1G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：8.9A（Ta），55A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：8 毫歐 @ 30A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.07W（Ta），35.71W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：I-PAK

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