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              圖片信息
              

              NSVMUN5212DW1T1G圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：NSVMUN5212DW1T1G
              6. 

            6. 原始制造廠商：ON，ON安森美半導體
              7. 

            7. 技術標準參數：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
              8. 

            8. 產品應用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
              9. 

            9. 點擊此處下載NSVMUN5212DW1T1G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. 制造商產品型號：NSVMUN5212DW1T1G
            12. 制造商：ON Semiconductor
            13. 描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
            14. 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
            15. 零件狀態：有源
            16. 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
            17. 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
            18. 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
            19. 電阻器-基極(R1)：22 千歐
            20. 電阻器-發射極(R2)：22 千歐
            21. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：60 @ 5mA，10V
            22. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
            23. 電流-集電極截止（最大值）：500nA
            24. 頻率-躍遷：-
            25. 功率-最大值：250mW
            26. 安裝類型：表面貼裝型
            27. 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
            28. NSVMUN5212DW1T1G均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
              29. 

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