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      圖片信息
      

      NSVMSB1218A-RT1G圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：NSVMSB1218A-RT1G
      2. 

    2. 原始制造廠商：ON，ON安森美半導體
      3. 

    3. 技術標準參數：TRANS PNP BIPOLAR SOT323-3
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
      5. 

    5. 點擊此處下載NSVMSB1218A-RT1G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：NSVMSB1218A-RT1G
    8. 制造商：ON Semiconductor
    9. 描述：TRANS PNP BIPOLAR SOT323-3
    10. 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
    11. 產品系列：Automotive, AEC-Q101
    12. 零件狀態：有源
    13. 晶體管類型：PNP
    14. 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
    15. 電壓-集射極擊穿（最大值）：45V
    16. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：500mV @ 10mA，100mA
    17. 電流-集電極截止（最大值）：100μA
    18. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：210 @ 2mA，10V
    19. 功率-最大值：150mW
    20. 頻率-躍遷：-
    21. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    22. 安裝類型：表面貼裝型
    23. 封裝：SC-70，SOT-323
    24. NSVMSB1218A-RT1G均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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