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              圖片信息
              

              NGTD30T120F2WP圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：NGTD30T120F2WP
              6. 

            6. 原始制造廠商：ON，ON安森美半導體
              7. 

            7. 技術標準參數：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
              8. 

            8. 產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
              9. 

            9. 點擊此處下載NGTD30T120F2WP的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. 制造商產品型號：NGTD30T120F2WP
            12. 制造商：ON Semiconductor
            13. 描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
            14. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
            15. 產品系列：-
            16. 零件狀態：有源
            17. IGBT類型：溝槽型場截止
            18. 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
            19. 電流-集電極(Ic)（最大值）：-
            20. 電流-集電極脈沖(Icm)：200A
            21. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A
            22. 功率-最大值：-
            23. 開關能量：-
            24. 輸入類型：標準
            25. 柵極電荷：-
            26. 25°C時Td（開/關）值：-
            27. 測試條件：-
            28. 反向恢復時間(trr)：-
            29. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
            30. 安裝類型：表面貼裝型
            31. 封裝：模具
            32. NGTD30T120F2WP均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
              33. 

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