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深圳市南皇電子有限公司長期提供NGTB30N120IHRWG（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：NGTB30N120IHRWG

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 1200V 60A 384W TO247

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：NGTB30N120IHRWG

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 1200V 60A 384W TO247

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：60A

電流-集電極脈沖(Icm)：120A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，30A

功率-最大值：384W

開關(guān)能量：700μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：225nC

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：-/230ns

測試條件：600V，30A，10 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

NGTB30N120IHRWG均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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