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              圖片信息
              

              NGTB03N60R2DT4G圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：NGTB03N60R2DT4G
              6. 

            6. 原始制造廠商：ON，ON安森美半導體
              7. 

            7. 技術標準參數：IGBT 9A 600V DPAK
              8. 

            8. 產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
              9. 

            9. 點擊此處下載NGTB03N60R2DT4G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. 制造商產品型號：NGTB03N60R2DT4G
            12. 制造商：ON Semiconductor
            13. 描述：IGBT 9A 600V DPAK
            14. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
            15. 產品系列：-
            16. 零件狀態：有源
            17. IGBT類型：-
            18. 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
            19. 電流-集電極(Ic)（最大值）：9A
            20. 電流-集電極脈沖(Icm)：12A
            21. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，3A
            22. 功率-最大值：49W
            23. 開關能量：50μJ（開），27μJ（關）
            24. 輸入類型：標準
            25. 柵極電荷：17nC
            26. 25°C時Td（開/關）值：27ns/59ns
            27. 測試條件：300V，3A，30 歐姆，15V
            28. 反向恢復時間(trr)：65ns
            29. 工作溫度：175°C（TJ）
            30. 安裝類型：表面貼裝型
            31. 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
            32. NGTB03N60R2DT4G均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
              33. 

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