深圳市南皇電子有限公司長期提供NGB8207ABNT4G（品牌: ON）充足現貨訂購、免費樣品
技術參數詳解：
ON安森美半導體完整型號：NGB8207ABNT4G制造廠家名稱：ON Semiconductor描述：IGBT 365V 20A 165W D2PAK3系列：-IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：365V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：50A不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.2V @ 3.7V，10A功率 - 最大值：165WSwitching Energy：-輸入類型：邏輯Gate Charge：-25°C 時 Td（開/關）值：-Test Condition：-反向恢復時間 (trr)：-產品封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB安裝類型：表面貼裝供應商器件封裝：D2PAKNGB8207ABNT4G均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
