深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供HGT1S12N60A4S9A（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號(hào)：HGT1S12N60A4S9A制造商：ON Semiconductor描述：IGBT 600V 54A 167W TO263AB系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：停產(chǎn)IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：54A電流-集電極脈沖(Icm)：96A不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，12A功率-最大值：167W開關(guān)能量：55μJ（開），50μJ（關(guān)）輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)柵極電荷：78nC25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：17ns/96ns測(cè)試條件：390V，12A，10 歐姆，15V反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263ABHGT1S12N60A4S9A均從ON代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
