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深圳市南皇電子有限公司長期提供FQB8N60CTM（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：FQB8N60CTM

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：FQB8N60CTM

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：QFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：7.5A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.2 歐姆 @ 3.75A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：36nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1255pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），147W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：D2PAK（TO-263AB）

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