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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：FAM65HR51DS2

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT MODULE 650V 33A 135W

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - IGBT - 模塊

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：FAM65HR51DS2

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT MODULE 650V 33A 135W

系列：晶體管 - IGBT - 模塊

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：-

配置：半橋逆變器

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：33A

功率-最大值：135W

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：-

電流-集電極截止（最大值）：-

不同?Vce時(shí)輸入電容(Cies)：4.86nF @ 400V

輸入：標(biāo)準(zhǔn)

NTC熱敏電阻：無(wú)

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：-

FAM65HR51DS2均從ON代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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