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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：3LN01C-TB-E

技術(shù)標(biāo)準參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：3LN01C-TB-E

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：150mA（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：3.7 歐姆 @ 80mA，4V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.58nC @ 10V

Vgs（最大值）：±10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：7pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：250mW（Ta）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：3-CP

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