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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供PMDT670UPE（品牌: Nexperia）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

PMDT670UPE - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Nexperia代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：PMDT670UPE

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666

產(chǎn)品應(yīng)用分類：FET，MOSFET - 陣列-晶體管

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

Nexperia公司器件型號(hào)：PMDT670UPE,115

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導(dǎo)體）-2017年從NXP分離

功能總體描述：MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666

所屬類別：FET，MOSFET - 陣列-晶體管

系列：汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS?

零件狀態(tài)：在售

FET 類型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）：20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：550mA

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：850 毫歐 @ 400mA，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）：1.14nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：87pF @ 10V

功率 - 最大值：330mW

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

封裝形式：SOT-563，SOT-666

Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝：SOT-666

PMDT670UPE的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ)：4000 PCS

PMDT670UPE均從Nexperia代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Nexperia

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深圳市南皇電子有限公司 - PMDT670UPE - Nexperia公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

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