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              圖片信息
              

              PHKD6N02LT,518圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：PHKD6N02LT,518
              6. 

            6. 原始制造廠商：NXP，恩智浦半導體
              7. 

            7. 技術標準參數：MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
              8. 

            8. 產品應用分類：場效應管陣列
              9. 

            9. 點擊此處下載PHKD6N02LT,518的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. NXP恩智浦完整型號：PHKD6N02LT,518
            12. 制造廠家名稱：NXP Semiconductors
            13. 描述：MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
            14. 系列：TrenchMOS?
            15. FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
            16. FET 功能：邏輯電平門
            17. 漏源極電壓 (Vdss)：20V
            18. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：10.9A
            19. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 3A，5V
            20. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
            21. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15.3nC @ 5V
            22. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：950pF @ 10V
            23. 功率 - 最大值：4.17W
            24. 安裝類型：表面貼裝
            25. 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
            26. 供應商器件封裝：8-SO
            27. PHKD6N02LT,518均從NXP代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
              28. 

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