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      圖片信息
      

      PHKD6N02LT,518圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：PHKD6N02LT,518
      2. 

    2. 原始制造廠商：NXP，恩智浦半導體
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
      4. 

    4. 產品應用分類：場效應管陣列
      5. 

    5. 點擊此處下載PHKD6N02LT,518的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. NXP恩智浦完整型號：PHKD6N02LT,518
    8. 制造廠家名稱：NXP Semiconductors
    9. 描述：MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
    10. 系列：TrenchMOS?
    11. FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
    12. FET 功能：邏輯電平門
    13. 漏源極電壓 (Vdss)：20V
    14. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：10.9A
    15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 3A，5V
    16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
    17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15.3nC @ 5V
    18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：950pF @ 10V
    19. 功率 - 最大值：4.17W
    20. 安裝類型：表面貼裝
    21. 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
    22. 供應商器件封裝：8-SO
    23. PHKD6N02LT,518均從NXP代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      24. 

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