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              深圳市南皇電子有限公司長期提供APTM120DA56T1G（品牌: Microsemi）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
              
  
              快速詢價熱線
              
  
  
              

              

              

              深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
              

              

              

              

              

              

              

              

              

              

              

              


              Microsemi產(chǎn)品快速報價、當日發(fā)貨、無最低起訂量
              

              APTM120DA56T1G - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，Microsemi代理穩(wěn)定貨源。
              

              

              

              

              圖片信息
              

              APTM120DA56T1G圖片
              

              

              

              

              基本技術(shù)信息：
              

            5. 電子器件型號：APTM120DA56T1G
              6. 

            6. 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
              7. 

            7. 技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
              8. 

            8. 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
              9. 

            9. 點擊此處下載APTM120DA56T1G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
              10. 

            10. 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術(shù)參數(shù)詳解：
              

            11. 制造商產(chǎn)品型號：APTM120DA56T1G
            12. 制造商：Microsemi Corporation
            13. 描述：MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
            14. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
            15. 產(chǎn)品系列：-
            16. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
            17. FET類型：N 通道
            18. 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
            19. 漏源電壓（Vdss）：1200V
            20. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：18A（Tc）
            21. 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
            22. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：672 毫歐 @ 14A，10V
            23. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
            24. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：300nC @ 10V
            25. Vgs（最大值）：±30V
            26. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：7736pF @ 25V
            27. FET功能：-
            28. 功率耗散（最大值）：390W（Tc）
            29. 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
            30. 安裝類型：底座安裝
            31. 器件封裝：SP1
            32. APTM120DA56T1G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
              33. 

              時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
              

              

              


              

              

              

              

              Microsemi產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
              

              

              買到真正的APTM120DA56T1G原裝貨 - 來自全球授權(quán)的Microsemi代理商、原廠貨源 - 深圳市南皇電子有限公司
              

              
  
              深圳市南皇電子有限公司 - APTM120DA56T1G - Microsemi公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商
              
  
              深圳市南皇電子有限公司致力成為中國領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購增值配套,快速響應(yīng)您的報價請求
              
  
              除Microsemi外，我司還在以下品牌具有優(yōu)勢：Wurth | WeEn | U-Blox | Trinamic | Traco Power | 
              

              

              

              

              



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