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      圖片信息
      

      APTM120DA30T1G圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：APTM120DA30T1G
      2. 

    2. 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
      4. 

    4. 產品應用分類：場效應管模塊
      5. 

    5. 點擊此處下載APTM120DA30T1G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

    6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. Microsemi美高森美完整型號：APTM120DA30T1G
    8. 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
    9. 描述：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
    10. 系列：-
    11. FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    12. FET 功能：標準
    13. 漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）
    14. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：31A
    15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：360 毫歐 @ 25A，10V
    16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
    17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：560nC @ 10V
    18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14560pF @ 25V
    19. 功率 - 最大值：657W
    20. 安裝類型：底座安裝
    21. 封裝/外殼：SP1
    22. 供應商器件封裝：SP1
    23. APTM120DA30T1G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      24. 

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      深圳市南皇電子有限公司 - APTM120DA30T1G - Microsemi公司芯片現貨領導代理商
      
  
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      除Microsemi外，我司還在以下品牌具有優勢：Cvilux | Crystek | Connor Winfield | Central | Bridgetek | 
      

      

      

      

      



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