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              圖片信息
              APTM100H35FT3G圖片
              基本技術(shù)信息:
            3. 電子器件型號(hào):APTM100H35FT3G
            4. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
            5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
            6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:場(chǎng)效應(yīng)管模塊
            7. 點(diǎn)擊此處下載APTM100H35FT3G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
            8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
            9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
            10. Microsemi美高森美完整型號(hào):APTM100H35FT3G
            11. 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
            12. 描述:MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
            13. 系列:-
            14. FET 類型:4 個(gè) N 通道(H 橋)
            15. FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
            16. 漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
            17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):22A
            18. 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):420 毫歐 @ 11A,10V
            19. 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
            20. 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):186nC @ 10V
            21. 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):5200pF @ 25V
            22. 功率 - 最大值:390W
            23. 安裝類型:底座安裝
            24. 封裝/外殼:SP3
            25. 供應(yīng)商器件封裝:SP3
            26. APTM100H35FT3G均從Microsemi代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
            27. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
              Microsemi產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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