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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供APTM100DDA35T3G（品牌: Microsemi）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

APTM100DDA35T3G - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Microsemi代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：APTM100DDA35T3G

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：APTM100DDA35T3G

制造商：Microsemi Corporation

描述：MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源電壓（Vdss）：1000V（1kV）

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：22A

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：420 毫歐 @ 11A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：186nC @ 10V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：5200pF @ 25V

功率-最大值：390W

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝：SP3

APTM100DDA35T3G均從Microsemi代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Microsemi

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