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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供APTM100A13DG（品牌: Microsemi）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

APTM100A13DG - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Microsemi代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：APTM100A13DG

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

產(chǎn)品應(yīng)用分類：場(chǎng)效應(yīng)管模塊

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

Microsemi美高森美完整型號(hào)：APTM100A13DG

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

系列：-

FET 類型：2 個(gè) N 通道（半橋）

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：65A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：156 毫歐 @ 32.5A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 6mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：562nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：15200pF @ 25V

功率 - 最大值：1250W

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SP6

供應(yīng)商器件封裝：SP6

APTM100A13DG均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Microsemi

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