深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供APTM100A13DG（品牌: Microsemi）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
Microsemi美高森美完整型號(hào)：APTM100A13DG制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group描述：MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6系列：-FET 類型：2 個(gè) N 通道（半橋）FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：65A不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：156 毫歐 @ 32.5A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 6mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：562nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：15200pF @ 25V功率 - 最大值：1250W安裝類型：底座安裝封裝/外殼：SP6供應(yīng)商器件封裝：SP6APTM100A13DG均從Microsemi代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
