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      圖片信息
      

      APTGV50H60BT3G圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：APTGV50H60BT3G
      2. 

    2. 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
      3. 

    3. 技術標準參數：IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - IGBT - 模塊
      5. 

    5. 點擊此處下載APTGV50H60BT3G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：APTGV50H60BT3G
    8. 制造商：Microsemi Corporation
    9. 描述：IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
    10. 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
    11. 零件狀態：有源
    12. IGBT類型：NPT，溝槽型場截止
    13. 配置：升壓斬波器，全橋
    14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
    15. 電流-集電極(Ic)（最大值）：65A
    16. 功率-最大值：250W
    17. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，50A
    18. 電流-集電極截止（最大值）：250μA
    19. 不同?Vce時輸入電容(Cies)：2.2nF @ 25V
    20. 輸入：標準
    21. NTC熱敏電阻：是
    22. 工作溫度：-
    23. 安裝類型：底座安裝
    24. 封裝：SP3
    25. APTGV50H60BT3G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      26. 

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