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      圖片信息
      

      APTGT50H60RT3G圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：APTGT50H60RT3G
      2. 

    2. 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
      3. 

    3. 技術標準參數：POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
      4. 

    4. 產品應用分類：IGBT模塊
      5. 

    5. 點擊此處下載APTGT50H60RT3G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

    6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. Microsemi美高森美完整型號：APTGT50H60RT3G
    8. 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
    9. 描述：POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
    10. 系列：-
    11. IGBT 類型：溝道和場截止
    12. 配置：全橋反相器
    13. 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
    14. 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80A
    15. 功率 - 最大值：176W
    16. 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：1.9V @ 15V，50A
    17. 電流 - 集電極截止（最大值）：250μA
    18. 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：3.15nF @ 25V
    19. 輸入：單相橋式整流器
    20. NTC 熱敏電阻：是
    21. 安裝類型：底座安裝
    22. 封裝/外殼：SP3
    23. 供應商器件封裝：SP3
    24. APTGT50H60RT3G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      25. 

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