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              圖片信息
              

              APTGT50A60T1G圖片
              

              

              

              

              基本技術信息：
              

            5. 電子器件型號：APTGT50A60T1G
              6. 

            6. 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
              7. 

            7. 技術標準參數：IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
              8. 

            8. 產品應用分類：晶體管 - IGBT - 模塊
              9. 

            9. 點擊此處下載APTGT50A60T1G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
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            10. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
              11. 

              

              

              

              

              

              

              技術參數詳解：
              

            11. 制造商產品型號：APTGT50A60T1G
            12. 制造商：Microsemi Corporation
            13. 描述：IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
            14. 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
            15. 零件狀態：停產
            16. IGBT類型：溝槽型場截止
            17. 配置：半橋
            18. 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
            19. 電流-集電極(Ic)（最大值）：80A
            20. 功率-最大值：176W
            21. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，50A
            22. 電流-集電極截止（最大值）：250μA
            23. 不同?Vce時輸入電容(Cies)：3.15nF @ 25V
            24. 輸入：標準
            25. NTC熱敏電阻：是
            26. 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
            27. 安裝類型：底座安裝
            28. 封裝：SP1
            29. APTGT50A60T1G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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