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      圖片信息
      APTGT35A120D1G圖片
      基本技術(shù)信息:
    1. 電子器件型號(hào):APTGT35A120D1G
    2. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
    3. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1
    4. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - IGBT - 模塊
    5. 點(diǎn)擊此處下載APTGT35A120D1G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
    6. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
    7. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    8. 制造商產(chǎn)品型號(hào):APTGT35A120D1G
    9. 制造商:Microsemi Corporation
    10. 描述:IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1
    11. 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
    12. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    13. IGBT類型:溝槽型場(chǎng)截止
    14. 配置:半橋
    15. 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
    16. 電流-集電極(Ic)(最大值):55A
    17. 功率-最大值:205W
    18. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,35A
    19. 電流-集電極截止(最大值):5mA
    20. 不同?Vce時(shí)輸入電容(Cies):2.5nF @ 25V
    21. 輸入:標(biāo)準(zhǔn)
    22. NTC熱敏電阻:無(wú)
    23. 工作溫度:-
    24. 安裝類型:底座安裝
    25. 封裝:D1
    26. APTGT35A120D1G均從Microsemi代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    27. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
      Microsemi產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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      深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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