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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供APTC60AM83B1G（品牌: Microsemi）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

APTC60AM83B1G - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Microsemi代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：APTC60AM83B1G

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：APTC60AM83B1G

制造商：Microsemi Corporation

描述：MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：CoolMOS?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：3 N 溝道（相角 + 升壓斬波電路）

FET功能：超級(jí)結(jié)

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：36A

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：83 毫歐 @ 24.5A、 10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5V @ 3mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：250nC @ 10V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：7200pF @ 25V

功率-最大值：250W

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝：SP1

APTC60AM83B1G均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Microsemi

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