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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供APT70GR65B2SCD30（品牌: Microsemi）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

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Microsemi產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無(wú)最低起訂量

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：APT70GR65B2SCD30

原始制造廠商：Microsemi，美高森美

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：APT70GR65B2SCD30

制造商：Microsemi Corporation

描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：NPT

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：134A

電流-集電極脈沖(Icm)：260A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，70A

功率-最大值：595W

開(kāi)關(guān)能量：-

輸入類型：-

柵極電荷：305nC

25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：19ns/170ns

測(cè)試條件：433V，70A，4.3 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

APT70GR65B2SCD30均從Microsemi代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

質(zhì)量是南皇電子從眾多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

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