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              圖片信息
              APT70GR65B2SCD30圖片
              基本技術(shù)信息:
            3. 電子器件型號(hào):APT70GR65B2SCD30
            4. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
            5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
            6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
            7. 點(diǎn)擊此處下載APT70GR65B2SCD30的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
            8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
            9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
            10. 制造商產(chǎn)品型號(hào):APT70GR65B2SCD30
            11. 制造商:Microsemi Corporation
            12. 描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
            13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
            14. 產(chǎn)品系列:-
            15. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
            16. IGBT類型:NPT
            17. 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
            18. 電流-集電極(Ic)(最大值):134A
            19. 電流-集電極脈沖(Icm):260A
            20. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,70A
            21. 功率-最大值:595W
            22. 開關(guān)能量:-
            23. 輸入類型:-
            24. 柵極電荷:305nC
            25. 25°C時(shí)Td(開/關(guān))值:19ns/170ns
            26. 測試條件:433V,70A,4.3 歐姆,15V
            27. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-
            28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
            29. 安裝類型:通孔
            30. 封裝:TO-247-3
            31. APT70GR65B2SCD30均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
            32. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
              Microsemi產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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