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      圖片信息
      APT65GP60L2DQ2G圖片
      基本技術(shù)信息:
    1. 電子器件型號(hào):APT65GP60L2DQ2G
    2. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
    3. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 600V 198A 833W TO264
    4. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:?jiǎn)温稩GBT
    5. 點(diǎn)擊此處下載APT65GP60L2DQ2G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
    6. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
    7. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    8. Microsemi美高森美完整型號(hào):APT65GP60L2DQ2G
    9. 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
    10. 描述:IGBT 600V 198A 833W TO264
    11. 系列:POWER MOS 7
    12. IGBT 類型:PT
    13. 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
    14. 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):198A
    15. Current - Collector Pulsed (Icm):250A
    16. 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):2.7V @ 15V,65A
    17. 功率 - 最大值:833W
    18. Switching Energy:605μJ (開), 895μJ (關(guān))
    19. 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
    20. Gate Charge:210nC
    21. 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:30ns/90ns
    22. Test Condition:400V, 65A, 5 歐姆, 15V
    23. 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-
    24. 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA
    25. 安裝類型:通孔
    26. 供應(yīng)商器件封裝:*
    27. APT65GP60L2DQ2G均從Microsemi代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    28. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
      Microsemi產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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