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      圖片信息
      

      APT65GP60L2DQ2G圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：APT65GP60L2DQ2G
      2. 

    2. 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
      3. 

    3. 技術標準參數：IGBT 600V 198A 833W TO264
      4. 

    4. 產品應用分類：單路IGBT
      5. 

    5. 點擊此處下載APT65GP60L2DQ2G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

    6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. Microsemi美高森美完整型號：APT65GP60L2DQ2G
    8. 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
    9. 描述：IGBT 600V 198A 833W TO264
    10. 系列：POWER MOS 7
    11. IGBT 類型：PT
    12. 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
    13. 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：198A
    14. Current - Collector Pulsed (Icm)：250A
    15. 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，65A
    16. 功率 - 最大值：833W
    17. Switching Energy：605μJ （開）， 895μJ （關）
    18. 輸入類型：標準
    19. Gate Charge：210nC
    20. 25°C 時 Td（開/關）值：30ns/90ns
    21. Test Condition：400V, 65A, 5 歐姆, 15V
    22. 反向恢復時間 (trr)：-
    23. 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA
    24. 安裝類型：通孔
    25. 供應商器件封裝：*
    26. APT65GP60L2DQ2G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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