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      圖片信息
      

      APT33GF120B2RDQ2G圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：APT33GF120B2RDQ2G
      2. 

    2. 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
      3. 

    3. 技術標準參數：IGBT 1200V 64A 357W TMAX
      4. 

    4. 產品應用分類：單路IGBT
      5. 

    5. 點擊此處下載APT33GF120B2RDQ2G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. Microsemi美高森美完整型號：APT33GF120B2RDQ2G
    8. 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
    9. 描述：IGBT 1200V 64A 357W TMAX
    10. 系列：-
    11. IGBT 類型：NPT
    12. 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
    13. 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：64A
    14. Current - Collector Pulsed (Icm)：75A
    15. 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：3V @ 15V，25A
    16. 功率 - 最大值：357W
    17. Switching Energy：1.315μJ （開）， 1.515μJ （關）
    18. 輸入類型：標準
    19. Gate Charge：170nC
    20. 25°C 時 Td（開/關）值：14ns/185ns
    21. Test Condition：800V, 25A, 4.3 歐姆, 15V
    22. 反向恢復時間 (trr)：-
    23. 封裝/外殼：TO-247-3 變式
    24. 安裝類型：通孔
    25. 供應商器件封裝：*
    26. APT33GF120B2RDQ2G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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