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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供APT30GP60B2DLG（品牌: Microsemi）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

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Microsemi產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無(wú)最低起訂量

APT30GP60B2DLG - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Microsemi代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：APT30GP60B2DLG

原始制造廠商：Microsemi，美高森美

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 100A 463W TMAX

產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：APT30GP60B2DLG

制造商：Microsemi Corporation

描述：IGBT 600V 100A 463W TMAX

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類(lèi)型：PT

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：100A

電流-集電極脈沖(Icm)：120A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，30A

功率-最大值：463W

開(kāi)關(guān)能量：260μJ（開(kāi)），250μJ（關(guān)）

輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：90nC

25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：13ns/55ns

測(cè)試條件：400V，30A，5 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型：通孔

封裝：TO-247-3

APT30GP60B2DLG均從Microsemi代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

質(zhì)量是南皇電子從眾多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

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