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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：PTAB182002TCV2XWSA1

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：PTAB182002TCV2XWSA1

制造商：Infineon Technologies

描述：IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

晶體管類型：-

頻率：-

增益：-

電壓-測(cè)試：-

額定電流（安培）：-

噪聲系數(shù)：-

電流-測(cè)試：-

功率-輸出：-

電壓-額定：-

封裝：-

PTAB182002TCV2XWSA1均從Infineon代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Infineon

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