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      圖片信息
      IRG4RC10SDTRPBFBTMA1圖片
      基本技術(shù)信息:
    1. 電子器件型號(hào):IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
    2. 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
    3. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 600V 14A 38W DPAK
    4. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    5. 點(diǎn)擊此處下載IRG4RC10SDTRPBFBTMA1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
    6. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
    7. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    8. 制造商產(chǎn)品型號(hào):IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
    9. 制造商:Infineon Technologies
    10. 描述:IGBT 600V 14A 38W DPAK
    11. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    12. 產(chǎn)品系列:HEXFRED?
    13. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    14. IGBT類型:-
    15. 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
    16. 電流-集電極(Ic)(最大值):14A
    17. 電流-集電極脈沖(Icm):18A
    18. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,8A
    19. 功率-最大值:38W
    20. 開(kāi)關(guān)能量:310μJ(開(kāi)),3.28mJ(關(guān))
    21. 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
    22. 柵極電荷:15nC
    23. 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:76ns/815ns
    24. 測(cè)試條件:480V,8A,100 歐姆,15V
    25. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):28ns
    26. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    27. 安裝類型:表面貼裝型
    28. 封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
    29. IRG4RC10SDTRPBFBTMA1均從Infineon代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    30. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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