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IRFH3707TR2PBF - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，Infineon代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：IRFH3707TR2PBF

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：IRFH3707TR2PBF

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：HEXFET?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：12A（Ta），29A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：12.4 毫歐 @ 12A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：8.1nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：755pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.8W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-PQFN（3x3）

IRFH3707TR2PBF均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

質(zhì)量是南皇電子從眾多競爭對手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

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