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      圖片信息
      

      IPD800N06N G圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：IPD800N06N G
      2. 

    2. 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
      4. 

    4. 產品應用分類：單端場效應管
      5. 

    5. 點擊此處下載IPD800N06N G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

    6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. Infineon英飛凌公司完整型號：IPD800N06N G
    8. 制造廠家名稱：Infineon Technologies
    9. 描述：MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
    10. 系列：OptiMOS?
    11. FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    12. FET 功能：標準
    13. 漏源極電壓 (Vdss)：60V
    14. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：16A（Tc）
    15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：80 毫歐 @ 16A，10V
    16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 16μA
    17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10nC @ 10V
    18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：370pF @ 30V
    19. 功率 - 最大值：47W
    20. 安裝類型：表面貼裝
    21. 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
    22. 供應商器件封裝：PG-TO252-3
    23. IPD800N06N G均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      24. 

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      除Infineon外，我司還在以下品牌具有優勢：Weidmuller | Walsin | TXC | Transphorm | Telit | 
      

      

      

      

      



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