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      圖片信息
      

      IPD65R1K4CFDBTMA1圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：IPD65R1K4CFDBTMA1
      2. 

    2. 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
      5. 

    5. 點擊此處下載IPD65R1K4CFDBTMA1的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：IPD65R1K4CFDBTMA1
    8. 制造商：Infineon Technologies
    9. 描述：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
    10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
    11. 產品系列：CoolMOS?
    12. 零件狀態：停產
    13. FET類型：N 通道
    14. 技術：MOSFET（金屬氧化物）
    15. 漏源電壓（Vdss）：650V
    16. 25°C時電流-連續漏極(Id)：2.8A（Tc）
    17. 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
    18. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.4 歐姆 @ 1A，10V
    19. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA
    20. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
    21. Vgs（最大值）：±20V
    22. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：262pF @ 100V
    23. FET功能：-
    24. 功率耗散（最大值）：28.4W（Tc）
    25. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    26. 安裝類型：表面貼裝型
    27. 器件封裝：PG-TO252-3
    28. IPD65R1K4CFDBTMA1均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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