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      圖片信息
      

      IPB80N06S2-H5圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：IPB80N06S2-H5
      2. 

    2. 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
      4. 

    4. 產品應用分類：單端場效應管
      5. 

    5. 點擊此處下載IPB80N06S2-H5的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

    6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產的所有大小批量采購需求！
      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. Infineon英飛凌公司完整型號：IPB80N06S2-H5
    8. 制造廠家名稱：Infineon Technologies
    9. 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
    10. 系列：OptiMOS?
    11. FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    12. FET 功能：標準
    13. 漏源極電壓 (Vdss)：55V
    14. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：80A（Tc）
    15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：5.2 毫歐 @ 80A，10V
    16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 230μA
    17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：155nC @ 10V
    18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4400pF @ 25V
    19. 功率 - 最大值：300W
    20. 安裝類型：表面貼裝
    21. 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
    22. 供應商器件封裝：PG-TO263-3
    23. IPB80N06S2-H5均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      24. 

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      深圳市南皇電子有限公司 - IPB80N06S2-H5 - Infineon公司芯片現貨領導代理商
      
  
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      除Infineon外，我司還在以下品牌具有優(yōu)勢：Weidmuller | Walsin | TXC | Transphorm | Telit | 
      

      

      

      

      



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