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深圳市南皇電子有限公司長期提供IPB036N12N3 G（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

IPB036N12N3 G - 南皇電子長期提供競(jìng)爭力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Infineon代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：IPB036N12N3 G

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場(chǎng)效應(yīng)管

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：IPB036N12N3 G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：120V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：180A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：3.6 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 270μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：211nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：13800pF @ 60V

功率 - 最大值：300W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-7

IPB036N12N3 G均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Infineon

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